I prudutti

Novu Circuiti Integrati originali A3G26D055NT4

Descrizione breve:

Boyad Part Number

568-A3G26D055NT4TR-ND – Nastro è bobina (TR)

568-A3G26D055NT4CT-ND - Banda di taglio (CT)

568-A3G26D055NT4DKR-ND – Nastro e bobina personalizzati Digi-Reel®
fabricatore

NXP USA Inc.
U numeru di produttu di u fabricatore

A3G26D055NT4
descrive

MOSFET RF GAN AIRFAST 8W 48V
Tempu di consegna standard di u fabricatore

20 settimane

Descrizzione detallata

Mosfet RF GaN 48 V 40 mA 100 MHz ~ 2,69 GHz 13,9 dB 8 W 6-PDFN (7 × 6,5)
U numeru di parte interna di u cliente
Specificazioni

Specificazioni


Detail di u produttu

Tags di u produttu

pruprietà di u produttu

TIPU

DESCRIBE
categuria

Products Semiconductor discreti

Transistor - FET, MOSFET - RF

 

fabricatore

NXP USA Inc.
serie

-
Pacchettu

Tape è bobina (TR)

Banda di taglio (CT)

Digi-Reel® Custom Reel

 
Status di u produttu

in magazinu
Tipu di transistor

GaN
frequenza

100MHz ~ 2.69GHz
guadagnà

13,9 dB
Tensione - Test

48V
Corrente nominale (Ampere)

-
Figura di rumore

-
Current - Test

40 mA
putenza-output

8W
Tensione - nominale

125V
Pacchettu / Enclosure

6-LDFN Esposta Pad
Imballaggio di i dispositi di u fornitore

6-PDFN (7×6.5)
Media è Downloads

TIPU DI RESOURCE

LINK

Specificazioni

A3G26D055N

L'infurmazione ambientale

NXP USA Inc RoHS Cert

NXP USA Inc. REACH

Assemblea PCN / Fonte

COO/Label 15-aprile-2022

Ambiente è Classificazione di l'Esportazione

ATTRIBUTI

DESCRIBE

Statu RoHS

Conforme à a specificazione ROHS3

Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)

3 (168 ore)

Status REACH

I prudutti micca REACH

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0075


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